Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):8
Количество чипов на модуле:-
Габариты (мм):-
Расширенная операционная температура (Tcase):-
rusName:[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Потребление энергии:-
Линейка:-
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
59a97fdce9154682fb5ff358952bd48f
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg