Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Частота (MHz):DDR5 - 5600
Поддержка Reg:Нет
Чип:-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):8
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Габариты (мм):-
Количество чипов на модуле:-
rusName:[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Расширенная операционная температура (Tcase):-
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
ccb9c2b21a5afe2a505c131693431672
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Габариты (мм)
Количество чипов на модуле
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги