QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V

QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V

Артикул:QUM3U-4G1600C11L
Код товара:626369400
К сравнению
Тайминги:11-11-11
Тип оборудования:Оперативная память
gtdNumber:10005030/210222/3094605
Чип:512M x 8-bit
Частота (MHz):DDR3 - 1600
Поддержка Reg:Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):4
Количество чипов на модуле:8
Под заказ (запрашивайте)
1 260 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
2a14b6761090b8a23ca597b163c68bd8
Описание
Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Память Qumo QUM3U-4G1600C11L обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками, а также многие другие задачи. Оперативная память Qumo QUM3U-4G1600C11L обладает следующими основными параметрами: частота - MHz; Объем - МБ.
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
масса(кг)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
ширина(см)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
длина(см)
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
описание
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
GTIN
высота(см)